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飯島 北斗*; 永井 良治; 西森 信行; 羽島 良一
Electrical Engineering in Japan, 177(3), p.46 - 53, 2011/11
被引用回数：0 パーセンタイル：0(Engineering, Electrical & Electronic)低エミッタンス大電流ビームが発生可能な電子源は、エネルギー回収型リニアック次世代放射光源の最重要の開発要素である。このような電子源は、時間空間波形整形されたレーザービームで駆動される直流型光陰極電子銃で実現できる。また、半導体光陰極に量子カスケードの原理を加えることで、光陰極の時間応答が高速化され、さらなる低エミッタンスが期待できる。
Au with synchrotron radiation宗和 誠*; 山崎 大地*; 岡田 美智雄*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 笠井 俊夫*
Electrical Engineering in Japan, 175(4), p.43 - 47, 2011/06
被引用回数：2 パーセンタイル：18.47(Engineering, Electrical & Electronic)We report the results of a study of the natural oxidation of CuAu(110) with high-resolution X-ray photoemission spectroscopy in conjunction with synchrotron radiation. The clean surface of CuAu(110) is terminated with 50% Au and 50% Cu atoms. After natural oxidation in the air, Cu atoms segregate on the surface and produce Cu-oxide. As a result, Au atoms move into the bulk. Au atoms below the oxide reduce the diffusion of O atoms farther into bulk and limit the oxide thickness. The face dependence of natural oxidation indicates that the diffusion of Cu atoms also contributes to oxide formation.
寺岡 有殿; 吉越 章隆; 盛谷 浩右*
Electrical Engineering in Japan, 164(3), p.60 - 68, 2008/08
被引用回数：3 パーセンタイル：26.08(Engineering, Electrical & Electronic)Si(001)表面での超音速酸素分子線による酸化反応を放射光を用いたリアルタイムその場光電子分光法と質量分析法で900Kから1300Kの温度範囲で研究した。光電子分光法ではシリコンと酸素の化学結合状態を、質量分析法ではSiO分子の脱離を評価した。Si2p光電子スペクトルとSiO脱離収率の同時測定によってSiOの減少がSi
成分の増加と相関し、また、SiO脱離は酸化膜厚0.22nmで停止することがわかった。これらの事実はSiO脱離は最表面のSi二量体から起こり、脱離の前躯体はいわゆるTサイトであることを示唆している。Tサイトとは酸素原子が二量体のダングリングボンドと結合した状態である。結果的に、DOSモデルでいうところのM1, M2とは、それぞれ、Tサイト及びSi状態であることを明らかにした。
小田 靖久*; 小紫 公也*; 高橋 幸司; 春日井 敦; 今井 剛*; 坂本 慶司
Electrical Engineering in Japan, 161(2), p.1 - 7, 2007/11
被引用回数：1 パーセンタイル：11.89(Engineering, Electrical & Electronic)170GHz, MW級ジャイロトロンを応用し、マイクロ波プラズマ生成とマイクロ波推進器の実験を行った。推進器内で発生したプラズマはマイクロ波の進行方向とは逆方向に向かって伝播し、その伝播速度は、マイクロ波のパワー密度が75kW/cm
以上になると音速程度になることが判明した。また、推進力を測定したところ、運動量結合係数はプラズマの伝播速度が音速になると最大になることも判明した。これはプラズマ圧力が効率よく上昇し、その結果強い衝撃波を生み出す結果となっていると考えられる。
中野 博民*; 田辺 剛史*; 内藤 雅将*; 久保田 義喜*; 森田 剛*; 木村 豊秋; 松川 誠; 三浦 友史
Electrical Engineering in Japan, 131(4), p.1 - 10, 2000/04
被引用回数：8 パーセンタイル：48.65(Engineering, Electrical & Electronic)従来より、三相の電流ひずみ率は、単相のひずみ率を用いて表現してきた。平衡三相の場合は各相のひずみ率が等しいため、一相分を代表して三相のひずみ率を表現することができた。しかし、不均衡三相においては各相のひずみ率がそれぞれ異なるため、一相分を代表して三相のひずみ率を定義することが困難であった。そこで、本論文ではこの問題を解決するために、平衡三相ひずみ波交流のみならず、不平衡三相ひずみ波交流においても適用可能な三相一括の新しい電流ひずみ率を提案する。本論文では、まず従来方式の問題点を明らかにし、これを解決するために、二軸複素フーリエ変換級数を用いた新しい定義式を提案する。そして、従来方式と提案方式の比較及び検討を行い、提案方式の有用性を明らかにする。
